NXP新款BFU725F微波NPN晶体管采用SiGeC工艺

恩智浦半导体(NXP Semiconductors)(由飞利浦创建的独立半导体公司)日前发布了BFU725F微波NPN晶体管，这是一系列硅基分立器件解决方案中的**款产品。BFU725F具有高开关频率、高增益和超低噪音等多重特点，使其成为各种RF应用的理想解决方案。超低噪声可以改善各种无线设备(例如GPS系统、DECT电话、卫星无线电设备、WLAN/CDMA应用)中灵敏的RF接收器的接收效果，而超高断开频率则可以很好地满足运行频率在10 GHz到30 GHz以内的各种应用(例如卫星低噪音电路块)的需求。 

为解决当今设备的性能需求和生产商考虑的成本问题，BFU725F晶体管在开发时使用了恩智浦用于分立器件的硅锗碳(SiGeC)工艺技术，该工艺还用于开发单片IC和宽带晶体管。 

CalAmp公司工程卫星产品总监Bruce Bruchan先生表示，“我们选择了恩智浦的SiGeC BiCMOS技术，因为**终结果表明极具成本效益的硅基分立器件既能提供杰出的功率增益，又具备优良的动态范围。恩智浦不断开发利用SiGeC BiCMOS技术制造的产品，并通过持续创新应对**变化的微波和无线市场日益增长的市场需求，展示了该公司对客户的承诺。” 

除已经上市的解决方案外，包括TFF1004HN（用于卫星低噪音电路块的高度集成IC）和BFU725F微波晶体管，恩智浦正在开发其他几种硅基宽带晶体管和MMIC（单片微波IC），预计将于今年年底和2008年年初面世。 

恩智浦创新经理Bart Smolders教授表示，“QUBiC4X旨在满足实际高频应用，巧妙结合了超高的功率增益和优良的动态范围。我们的主张是要创造一种采用硅基工艺且具砷化镓（GaAs）性能的技术，这样我们就可以提供具有成本效益的集成高频解决方案。” 

BFU725F符合RoHS标准，可达到极低的噪音（1.8GHz时0.43dB / 5.8GHz时0.7dB）和很高的**稳定增益（1.8GHz时27dB / 18GHz时10dB）。独有特点包括高达fT 70 GHz的开关频率并封装在SOT343F塑料表面贴装封装包中。 

恩智浦的BFU725F微波晶体管现已大批量上市。 （来源：机电在线）


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