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海力士预计明年DRAM出货量将增长50-60%

2007-11-15 来源:中国贸易网转载网络责任编辑:未填 浏览数:未显示 中贸商网-贸易商务资源网

韩国海力士半导体近日表示,预计2008年动态随机存取存储器(DRAM)芯片出货量将增长50-60%。 

海力士预估,2008年NAND快闪存储器出货量将较今年激增110-120%。同时,该公司预计第四季度NAND快闪存储器价格将温和下跌。 

该公司同时指出,2008年计划投资约4万亿韩元,略低于2007年4.4万亿的资本支出。(来源:机电在线)
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