江苏多维科技推出**上首批高精度 TMR 线性磁场传感器

新型 TMR 传感器动态范围大、性能卓越、功耗更低，广泛适用于多种工业类和消费类传感器应用

加利福尼亚州圣何塞和中国张家港市2011年12月14日电 /美通社亚洲/ -- 精通隧道磁阻 (TMR) 技术的磁传感器**供应商 -- 江苏多维科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT)日前成功推出同属一个系列的三种线性磁场传感器，型号分别为 MMLD47F、MMLP57F 以及 MMLP57H。这些磁场传感器产品在**范围内率先实现了反映磁传感器关键设计性能的诸项优异指标，包括+/-70 Oe 的宽广动态范围、低于0.1%满量程磁场范围的超低磁滞性、高达 6 mV/V/Oe 的高灵敏度，以及低至5微瓦的功耗。这些性能指标是以前的任何一种磁场传感器都未曾达到的。这些产品的设计广泛适用于多种工作环境下的工业类和消费类应用，包括磁场、电流和位置传感。

“MDT 全新的 TMR 线性传感器为要求大动态范围、高精度测量、高灵敏度、低功耗的应用提供了**选择。在自身强大的专利技术组合和**的制造设施的支持下，我们完全能够将这些关键优势实现于单个传感器的设计之中。这种优势组合是前所未有的，同时也是包括各向异性磁阻 (AMR)、巨磁阻 (GMR) 或霍尔效应的现有磁传感器技术所不能实现的。MDT 是**个将 TMR 技术的优势全面推向商业传感器市场的批量制造商，”江苏多维科技有限公司董事长兼首席执行官薛松生博士表示，“凭借自身拥有的全球**的 TMR 技术专业知识、批量生产能力、应用设计和技术支持，我们相信，MDT将为磁传感器行业带来开创性机遇，并推动整个行业的增长，而这些机遇正是当今的市场所缺少的。”

MMLD47F/MMLP57F/MMLP57H 传感器采用6mm x 5mm x 1.7mm SOP8 封装，以及较小的 3mm x 3mm x 0.75mm DFN8封装用于空间受限的设计。这些产品表现出低于0.1%满量程的超低磁滞性，同时可在高达+/-70 Oe 的宽磁场范围内工作，并且在-40到125摄氏度区间展现出优秀的温度稳定性。设计的磁场灵敏度为3-6 mV/V/Oe，在1伏特电压供电时的典型电流消耗为5-12.5微安。请访问 http://www.multidimensiontech.com 查看数据文件和更多信息。

多维科技创立于2010年，总部设在中国江苏省张家港，在中国上海和美国加利福尼亚州圣何塞等地设有分公司。MDT 拥有多项独特的专利技术和**的制造能力，可批量生产高性能、低成本 TMR 传感器以满足**严格的应用需求。多维科技的核心管理团队由磁传感器技术和工程服务领域的业内精英和资深**组成。在核心团队的带领下，MDT 致力于为客户带来更多附加值，并确保他们的成功。

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