尔必达25nm制程4Gbit内存颗粒开发完成

  尔必达曾宣布采用25nm工艺制造的2Gbit内存颗粒正式开始出货。今日该公司正式发表公告称，采用25nm新工艺制造的4GbitDDR3SDRAM颗粒研发完成，芯片面积在同类产品(4GbitDRAM颗粒）中属****小。

    新的内存颗粒型号为EDJ4104BCBG／EDJ4108BCBG，位宽分别为4bit/8bit，尔必达称相比自家之前的30nm制程4GbitDDR3内存颗粒，1枚晶圆可切割出的芯片数量增加了45%，极大降低了生产成本。同时运行、待机时的电流值分别降低了25-30%和30-50%，**高传输速度可达1866Mbps以上（即此颗粒制成的内存频率**高1866MHz），默认电压为1.5V，同时有低电压1.35V的版本。

    尔必达表示新的内存颗粒将在今年12月份开始试产，预计也将在同月开始量产并批量出货。

尔必达25nm制程4Gbit内存颗粒开发完成