东京工业大学教授细野秀雄研究室,利用一氧化锡(SnO)开发出了n型半导体和p型半导体,由此基于氧化物半导体的CMOS电路有望得以实现。2010年3月10日,该大学在应用物理学会举行的“2010年春季应用物理学会学术演讲会”的会前新闻发布会上宣布了这一消息。
细野研究室曾于2008年采用基于SnO的p型半导体制造过TFT.此次,着眼于SnO在理论上可变成n型半导体这一原理,在p型半导体中添加了杂质--锑(Sb)元素。目前已确认,Sb的比例超过约5%时,材料会表现出n型半导体的特性。该大学还制造出了p型与n型半导体均基于SnO的同质pn结,并已确认可作为二极管使用。
细野表示,利用SnO,“更加接近用氧化物半导体实现CMOS电路的目标”.据介绍,除了CMOS电路之外,还可利用带隙(Bandgap)高达2.0eV这一特点,将其用作串联结构太阳能电池的短波长光pn结。
不过,此次获得的载流子迁移率,p型半导体为2.4cm2/Vs,n型为2.3cm2/Vs.尽管可以用于显示器用TFT等,但对于需要更高速度运行的显示器来说,还不能说已经充分满足要求。细野表示,“采用氧化物半导体材料,载流子迁移率很难达到10cm2/Vs以上。如果需要更高的载流子迁移率,可以使用其他材料”.
该大学将在第57届应用物理学相关联合演讲会(东海大学湘南校区,2010年3月17~20日)上进一步介绍开发成果的详情(演讲序号:17a-TL-11等)。