基于氧化物半导体的CMOS电路有望实现

东京工业大学教授细野秀雄研究室，利用一氧化锡（SnO）开发出了n型半导体和p型半导体，由此基于氧化物半导体的CMOS电路有望得以实现。2010年3月10日，该大学在应用物理学会举行的“2010年春季应用物理学会学术演讲会”的会前新闻发布会上宣布了这一消息。

　　细野研究室曾于2008年采用基于SnO的p型半导体制造过TFT.此次，着眼于SnO在理论上可变成n型半导体这一原理，在p型半导体中添加了杂质--锑（Sb）元素。目前已确认，Sb的比例超过约5%时，材料会表现出n型半导体的特性。该大学还制造出了p型与n型半导体均基于SnO的同质pn结，并已确认可作为二极管使用。

　　细野表示，利用SnO,“更加接近用氧化物半导体实现CMOS电路的目标”.据介绍，除了CMOS电路之外，还可利用带隙（Bandgap）高达2.0eV这一特点，将其用作串联结构太阳能电池的短波长光pn结。

　　不过，此次获得的载流子迁移率，p型半导体为2.4cm2/Vs,n型为2.3cm2/Vs.尽管可以用于显示器用TFT等，但对于需要更高速度运行的显示器来说，还不能说已经充分满足要求。细野表示，“采用氧化物半导体材料，载流子迁移率很难达到10cm2/Vs以上。如果需要更高的载流子迁移率，可以使用其他材料”.

　　该大学将在第57届应用物理学相关联合演讲会（东海大学湘南校区，2010年3月17~20日）上进一步介绍开发成果的详情（演讲序号：17a-TL-11等）。