TI发布封装顶部亦可散热的功率MOSFET 顶部热阻降低至1.2℃/W

美国德州仪器（TI）发布了封装顶部散热特性提高的功率MOSFET“DualCool NexFET”.此次将封装顶部原来为10~15℃/W的热阻，降低到了仅为1位数左右的1.2℃/W.主要面向单相35A的同步整流降压型DC-DC转换器的高频端及低频端MOSFET.封装尺寸为6mm×5mm.由于其不仅可从封装底部，还可从顶部散热，因此由MOSFET供应的电流**可提高50%.

　　该产品有导通电阻及栅极电荷量等不同的5款产品。比如，“CSD16325Q5C”的导通电阻**，为1.7mΩ，其栅极电荷量为18nC.1000个批量购买时，CSD16325Q5C的参考单价为1.47美元。