SSRM的原理
SSRM电阻及载流子浓度的定量测量
微细领域的杂质(载流子)分布测量是半导体元件开发所必须的技术,随着微细化的发展而变得越来越重要。SSRM方面,东芝于2007年开发出了能够以全球**高分辨率1nm进行分析的技术,但是无法在大浓度范围内准确实现浓度数值化。此次,采用标准样本来分析浓度与电阻值的相关关系,成功实现了浓度数值化。
能在任意位置进行测量
精选样本的SSRM图像
SSRM是利用非常细的导电性探针扫描测量对象样本表面、以测量每个位置电流(电阻)的技术。不过,以前要在晶圆上的任意位置进行测量,需要形成低电阻微细电极等关键技术。因此,东芝此次通过采用将离子束聚焦在狭小区域进行切割的加工技术--聚焦离子束(FocusedIon Beam,FIB)技术,能够在任意狭小位置进行切割加工、精选操作及形成低电阻电极,从而能够在任意位置进行测量。
东芝研发中心LSI基础技术实验室室长古贺淳二表示,采用此次的技术,“能够实现技术开发上的基础测量,比如实际定量测量改变底板面方位后的微细MOSFET等的载流子分布等。可获得对开发新一代元件有效的数据,有利于提高开发效率”.