日本Finechem参考展出输入电阻超过10TΩ的高电压测量仪

　日本从事高电压测量仪和电阻器业务的Finechem在"计测展 2009TOKYO"（2009年11月18～20日，东京有明国际会展中心）上，参考展出了输入电阻高达10TΩ以上的高电压测量仪。主要面向电池研发等利用高电压测量输出功率极小状况时的用途。在此类用途中，以往的高电压测量仪的输入电阻**高也过100GΩ左右，因此如果通过电压计和导线连接的话就会有电流被分流，无法测量电压。该公司计划在2～3年后使新产品实现实用化。

　　该公司原来的高电压测量仪，需要利用电阻分压来测量电压。此次参考展出的产品利用了在某种介电体结晶中加入电场后折射率就会发生变化的"普克尔斯效应"。此次利用了BGO（Bi₁₂GeO₂₀，锗酸铋）结晶。向BGO结晶中射入光线，测量通过结晶的出射光强度，然后算出电压。由于需要昂贵的光学系统，因此新产品的价格很可能高于原来的高电压测量仪。





 

 

图1：以高电压、低静电容量为例，测量静电时的演示场景。左侧的黑色物体是高电压测量仪。上方的圆筒部分内有BGO结晶。**中间部分通过毛毡摩擦氯乙烯筒，使之产生静电。产生的电荷储存在中央前方的电容器（白色圆筒形的物体）中。静电容量为100pF，与人体同等。通过高电压测量仪和导线连接电容器，并测量电压。与电容器右侧的金属球之间偶尔会产生放电，因此需要测量电压的变化。

 

 

图2：介绍参考展出的高电压测量仪原理和性能指标的展板。