这项研究计划将有助於**?作出奈米元件的原型并量测其特性,就10nm以下的精细度而言是一大突破,可进行广泛的应用.其重点在於整合ALD(可达到厚度?次奈米**度的一种薄膜技术)与具有奈米级剖面解析度(lateral resolution)的SPM,以便将扫描式探针技术延伸应用在原型?作和元件?作上.
史丹佛大学机械工程系教授兼系主任Fritz Prinz表示:「新颖的奈米结构将可直接在这个独特的SPM-ALD工具中?作出来并量测其特性,以**做出各种新一代元件的原型.SPM-ALD工具可让我们运用存在小尺寸中的量子?限效应(quantum confinement effect)来建构元件,这样的尺寸大小无法使用传统的微影(lithography)技术来探量,这些元件只能使用具有超高空间解析度的?程工具来建构.
过去,电子元件的效能一直受到传统?程方法(如光学和电子束微影技术)的限制,无法提供比20nm小很多的特徵解析度(feature resolution).然而,在10nm或更小尺寸的元件中,因电子?限?生的量子机械效应所导致的现象从品质上来讲,与较大元件中所看到的极?不同.量子?限效应的运用预计将成?电子元件新的设计典范.