东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO: 6502)今天宣布,该公司已经推出了用于继电器驱动器的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)"SSM3K337R"。这款新设备使用一种有源箝位结构,可以预防继电器电感负载关闭时的过电压。该产品的样品已经推出,并定于9月开始批量生产。
随着汽车装配的电子元件数量不断增加,汽车对继电器驱动器的需求不断增长。
"SSM3K337R"可以使导通电阻减半,并可以使允许功耗提高至同等产品的大约1.6倍。
主要特性
1.有源箝位结构可减轻继电器电感负载的压力
2.导通电阻减半。
3.允许功耗提升至大约1.6倍,采用SOT-23F封装。
主要规格
封装零件编号VDSS
(V)VGSS
(V)ID(DC)
(A)RDS(ON)标准值(mΩ)Ciss
(pF)Qg
@2A
(nC)
VGS=4VVGS=4.5VVGS=10V
SOT-23F
2.9 x 2.8mmSSM3K337R38±2021611551351203.6
垂询有关该产品的更多信息,请访问产品页面:
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1323380_37649.html
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东芝推出用于继电器驱动器的MOSFET(照片:美国商业资讯)