东京-- (美国商业资讯) -- 东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布为专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器推出30V电压功率MOSFET系列。这些产品采用了**的第八代低压沟槽结构,实现了**别的[注1]低导通电阻和高速转换。该系列产品计划于6月底投入量产。
特性
采用了第八代低压沟槽结构,实现了**别的[注1]低导通电阻
实现了较低的内部门极电阻和较低的门极电容比(Cgd/Cgs),有助于预防自启动现象
规格
封装产品型号VPSS
(V)VGSS
(V)RDS(ON) (mΩ)Crss
(标准值)
(pF)Ciss
(标准值)
(pF)Qg
(VGS=4.5V)
(标准值)
(nC)rg
(标准值)
(Ω)
VGS=10VVGS=4.5V
标准值**值标准值**值
SOP
AdvanceTPH11003NL30±209.411.012.616.0185103.31.3
TPH8R903NL30±207.68.910.212.7216304.41.1
TPH6R003NL30±205.26.06.88.33710508.21.1
TSON
AdvanceTPN11003NL30±209.411.012.616.0185103.31.3
TPN8R903NL30±207.68.910.212.7216304.41.1
TPN6R003NL30±205.26.06.88.33710508.21.1
SOP-8TP89R103NL30±207.89.110.412.9216304.41.1
TP86R203NL30±205.46.27.08.53710508.21.1
有关该产品的更多信息,敬请查看产品页面。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1323894_37649.html
注
1. 资料来源:东芝公司,2013年6月18日。
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东芝成立于1875年,如今已成为一家有着550多家附属公司的环球企业,全球拥有202,000名员工,年销售额逾6.1万亿日元(740亿美元)。更多信息请访问东芝网站:www.toshiba.co.jp/index.htm
照片/多媒体资料库可以通过以下网址获得:http://www.businesswire.com/multimedia/home/20130617006740/en/
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东芝30V电压功率MOSFET (从左到右依次为:SOP Advance,TSON Advance和SOP-8封装)(照片:美国商业资讯)