三星启动20nm工艺存储芯片生产线

 北京时间9月22日上午消息，三星电子今天宣布，已经启动了一条全新的存储芯片生产线，此举有可能加剧半导体市场供应过剩的局面，并打击规模较小的竞争对手。

    三星称，新的生产线采用20纳米工艺，是业内**、**的存储芯片生产设施。虽然这种工艺会将生产成本提升50%左右，但却可以在一个芯片中整合更多的电路，因此可以降低芯片体积、价格，并提升芯片的性能和能耗效率。

    由于PC厂商的需求降低导致存储芯片价格过去三个月的降幅超过30%，甚至低于生产成本。由于平板电脑和智能手机受到消费者热捧，因此今年全球PC出货量只能实现不足5%的增长。

    三星在存储芯片厂商的竞争对手包括海力士、尔必达和力晶科技。

    由于利润率持续恶化，加之前景疲软，导致规模较小的竞争对手推迟了需要耗费大量资本的生产设施升级计划。尔必达上周表示，考虑将部分产能转移到中国**，借此规避日元升值，并在疲软的市场中求生存。

    自从去年5月开工建设以来，三星已经为这处位于韩国南部城市华城的工厂投资了12万亿韩元(约合104亿美元)。三星表示，还将加大NAND闪存芯片的生产，以便满足市场需求。