IR推出商用氮化镓集成功率级器件iP2010和iP2011

IR（国际整流器）2010年3月5日推出了商用集成功率级产品iP2010和iP2011,采用了氮化镓（GaN）功率器件技术平台GaNpowIR.iP2010和iP2011集成了超**PowIRtune栅极驱动芯片，及一个单片多开关氮化镓功率器件。这些器件贴装在一个倒装芯片封装平台上，可带来比硅集成功率级器件更高的效率和2倍以上的开关频率。

　　iP2010的输入电压范围为7V至13.2V,输出电压范围则为0.6V至5.5V,输出电流高达30A.**高运行频率为3MHz.在5MHz运行时，与iP2010引脚兼容的iP2011具有相同的输入和输出电压范围，但后者经过优化，**高输出电流可达20A.此外，还具有标准的TTL使能和PWM输入。

　　上述技术特性使其具有如下优势：1、600kHz下的典型功耗为3.2W@30A;2、峰值效率在600kHz时大于93&,1.2MHz时大于91%;3、效率可从3.5%提升到7%;4、通过将开关频率从400kHz提高到800kHz,电路板空间可缩小30%~40%;5、能实现多MHz工作。

　　IR全球市场及企业传播副总裁GrahamRobertson表示：“基于IR专利的GaN-on-Si异质外延技术是经过5年研究的结果，氮化镓功率器件系列是一个高频率、高密度、高效电源转换解决方案。iP201x系列5MHz的开关能力可以显着减少输出电容和电感值及尺寸，有助实现空间紧张的设计。还能够使要求高效率的应用设定在较低的开关频率下运行。”他还提到，目前只有日本在大功率氮化镓功率器件方面技术开发能力很强，而其他地区则主要应用中小功率器件。

　　对于功率器件材料的选择问题，Robertson解释说：“主要是基于价格考虑，氮化镓每片晶圆的成本为40~50美元，而碳化硅（SiC）的成本高达每片晶圆2000~5000美元。如果不是特殊开发应用，很明显要选择氮化镓材料。”iP2010和iP2011系列器件适于服务器、路由器、交换机，以及通用POL DC-DC转换器等多相和负载点（POL）应用。

　　这两种器件采用小型无引线LGA封装，为极低的功率损耗作出了优化，由于引脚不外露，因此芯片内部电路所受干扰少。同时提供高效率的双面冷却功能，符合RoHS规定。

表1 iP2010/iP2011产品规格