尔必达将在**设DRAM开发基地 合作开发4F2技术

　　尔必达、瑞晶及PSC的技术人员将会聚于该基地，合作开发40nm工艺、单元面积为4F2（F为设计规则）的DRAM技术。现在尔必达正在量产的****DRAM为45nm工艺产品，单元面积为6F2。合作开发的目的在于通过大幅改变单元结构等，在版图设计上实现可谓**的单元面积。尔必达还计划把该基地开发的技术提供给该公司的代工厂商**茂德科技和**华邦电子。

　　以往尔必达主要在日本国内从事DRAM开发，而将**定位于生产基地。尔必达指出在**设立开发基地的好处有“容易在开发中满足市场存在感日益增强的**客户的需求，容易确保优秀的技术人员，容易降低人工费”（尔必达内存公关部）。至于将来是否打算把通用DRAM开发全部转交给**基地，该公司未明确表态。