东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)今天宣布为其用于基站和服务器的通用直流-直流转换器功率MOSFET阵容增加60V电压产品。这些产品使用**的第八代低电压沟槽结构,并实现了**[1]低导通电阻和高速交换性能。即日开始批量生产。
主要功能
1.使用第八代低电压沟槽结构,并实现了**[1]低导通电阻
2.实现了低内部栅极电阻和低栅极容量比(Cgd/Cgs),这有助于防止自动开机现象。
主要规格
封装零件编号VDSS (V)RDS(ON) (mΩ)Crss
(Typ.)
(pF)Ciss
(Typ.)
(pF)Coss
(Typ.)
(pF)Qg
(VGS=10V)
(Typ.)
(nC)rg
(Typ.)
(Ω)
VGS=10VVGS=4.5V
Typ.MaxTyp.Max
TSON AdvanceTPN11006NL609.611.412.817231500350230.6
SOP AdvanceTPH11006NL609.611.412.817231500350230.6
访问以下链接来了解该产品的更多信息。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1323990_37649.html
注释
1. 来源;东芝公司,2013年6月。
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SOP Advance封装(左)和TSON Advance封装(右)(照片:美国商业资讯)