--这款嵌入式存储器符合JEDEC UFS[2] 1.1版本标准,将64GB NAND和一个控制器整合在一个封装中--
东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布,业界**配备UFS I/F的64千兆字节(GB)嵌入式NAND闪存模块已经开始交付样品。该模块完全符合JEDEC UFS 1.1版本标准[3],专为包括智能手机和平板电脑在内的各种数码消费品打造。
样品主要用于由操作系统厂商对UFS I/F及其主芯片组中的协议进行评估。
由于主芯片组数据处理速度的提高以及无线连接带宽的扩大,市场上对可支持高分辨率视频的大密度、高性能芯片的需求持续强劲。
作为该核心领域公认的创新企业,东芝成为业界首家使用64GB UFS模块为样品提供支持的企业,并正借此巩固其领导地位。
东芝将根据市场需求来安排量产及该系列中其他密度产品的生产。
产品
产品型号 密度 封装 样品交付
THGLF0G9B8JBAIE 64GB 169Ball 12×16×1.2mm FBGA 2013年1月
主要特性
符合JEDEC UFS 1.1版本标准的接口,可处理的基本功能包括写入块管理、纠错和驱动程序软件。它简化了系统开发,让制造商能够**小化开发成本,缩短新产品及升级产品的上市时间。
UFS I/F有一个串行I/F。它可升级通道数和速度[4]。
新产品采用12x16x1.2mm的紧凑型FBGA封装,其信号布局符合JEDEC UFS 1.1版本标准。
[1] 针对嵌入式NAND闪存模块。资料来源:东芝,截至2013年2月。
[2]通用闪存存储这一产品类别主要针对依照JEDEC UFS标准规范打造的嵌入式存储产品系列。
[3]JEDEC UFS 1.1版本标准已经发布。JEDEC目前正在讨论2.0版本。
[4]JEDEC UFS 2.0版本标准将支持多通道和I/F速度。
规格
接口 JEDEC UFS 1.1版本标准
工作电压 2.7V-3.6V(存储器核心)
1.70V-1.95V(控制器核心)
1.10V-1.30V(UFS I/F信号)
通道数 下游1个通道/上游1个通道
I/F速度 2.9Gbps/通道
温度范围 -25摄氏度至+85摄氏度
封装 169Ball 12x16x1.2mm FBGA
关于东芝
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东芝公司宣布已经开始交付64千兆字节(GB)嵌入式NAND闪存模块的样品,这是业界**配备UFS I/F的产品。(照片:美国商业资讯)