三星示警 DRAM景气到顶

 DRAM产业遭逢换机潮不如预期，**大厂韩国三星半导体社长权五铉昨（7）日表示，虽然行动内存、服务器的DRAM需求不差，但主要支撑DRAM需求的NB、PC市况并不好，如果需求不佳状况延烧，DRAM产业在今年第4季至明年首季之间将供过于求。此为这一波景气上扬以来，三星半导体首度公开示警，也宣告去年3、4月以来走升的景气循环恐面临向下压力。

    NAND闪存优于DRAM

    权五铉昨日在台参加三星行动解决方案年度论坛，会后亲自主持记者会，解读下半年内存产业景气，将呈现NAND型闪存优于DRAM的趋势。权五铉表示，以DRAM的需求来看，行动内存、Server(服务器）的需求较佳，但是主要支撑DRAM需求的NB、PC仍疲弱，虽然感恩节旺季需求仍有机会带动DRAM，然疲弱状况如果持续，则DRAM产业将在第4季至明年第1季之间，开始供过于求。

    三星制程20奈米将是主流

    权五铉相对看好NAND型闪存，他指出，由于智能型手机、平板计算机的需求激励，NAND Flash将会呈现稳定趋势，支撑价格维持缓降走势，而不至于重挫、急跌，且平稳的走势将维持到明年，三星半导体今年已经从30奈米技术推进至20奈米技术，明年20奈米制程将成为主流。

    看好智能手机、平板计算机

    而从终端产品需求观察，权五铉点名智能型手机、平板计算机需求2011年将持续走高，而PC、NB的市况则有待观察，在TV市场方面，还有待下半年更多的市场数据，才足以掌握明年度的状况。

    三星今年度在Line 16生产线规划上，将产能拉高至20万片，大举扩产的动作引发诸多联想，特别是拥有全球**庞大产能的**。权五铉表示，三星的内存事业目标不在市占率，而在于创造客户的**价值，如果三星替客户带来差异化价值，市占率会自然而然提升，然扩展内存事业的初衷并不在扩大市占率。

    外传三星明年度资本支出高达60兆韩元，合新台币高达1.63兆元，再创历史新高纪录，权五铉指出，60兆韩元数字尚未确定，即使有这个数字，也是三星集团及其联属公司的资本支出，包含OLED事业，柔性否认外传的数字。但是今年在内存以及系统LSI方面，资本支出100亿美元是确定的。