集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET（安森美）

　　安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。

　　NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2 毫欧(m?)、3 m?及5 m?的**导通阻抗(RDS(on))值，针对降压转换器应用中的同步端而优化，达致更高电源能效。典型门电荷(在4.5 V门极-源极电压(Vgs)时)规格分别为39.6纳库仑(nC)、25.6 nC及12.2 nC，确保开关损耗也保持**。 

　　安森美半导体这些新的功率MOSFET典型应用包括用于服务器、电信网络设施、个人计算机(PC)、笔记本电脑及游戏机的直流-直流(DC-DC)转换、负载点(POL)转换及低端开关操作。 

　　安森美半导体功率MOSFET业务部副总裁兼总经理Paul Leonard说：“集成肖特基二极管借助于集成在与初级FET结构相同的裸片中，减小死区时间导电损耗，因而提升能效及改善波形。这些新的器件为客户提供更宽阵容的产品及方案，解决他们独特的设计挑战。”

　　NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF均采用符合RoHS指令、低热阻抗的紧凑型5 mm x 6 mm SO-8FL封装。这些器件每10,000片批量的价格为0.45美元至0.90美元。