东芝推出100V低导通电阻N沟道功率MOSFET

　　采用“DPAK+”封装，适用于高速开关

　　东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)已推出一款100V的低导通电阻、低漏电型功率MOSFET。该产品采用**的沟道MOS工艺打造，成为汽车专用系列中的**成员。新产品“TK55S10N1”的导通电阻较低，搭载以**的第八代沟道MOS工艺打造的“U-MOS VIII-H系列”芯片，并采用配以铜连接器的“DPAK+”封装。该产品主要适用于汽车应用，尤其是开关稳压器等需要高速开关的汽车应用。该产品现已推出样品，并计划于2013年4月投入量产。

　　极性 产品型号 漏极到源极电压

　　VDSS (V) 漏极电流

　　ID (A) 系列

　　通道号 TK55S10N1 100 55 U-MOS VIII-H

　　主要特性

　　1. 低导通电阻(VGS=10V)

　　RDS(ON) = 5.5mΩ(标准值)

　　2. 低漏电电流IDSS=10μA(**值)(VDS=额定电压)

　　3. “DPAK+”封装，通过利用铜连接器实现低导通电阻。

　　*通过下方链接了解该产品详情。http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1268301_2470.html

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　　东芝低导通电阻N沟道功率MOSFET(照片：美国商业资讯)