英特尔与美光以创新巩固NAND闪存技术领导地位

 2011年12月7日，英特尔公司和美光科技公司今天宣布推出全球**20纳米制程128Gb多层单元（MLC）NAND设备，在NAND闪存技术领域树立了新的**。两家公司还宣布开始量产其20纳米制程64GbNAND闪存，进一步扩展了双方在NAND制程工艺技术领域的领导地位。

    单片容量达128Gb的全新20纳米制程NAND设备是由英特尔与美光的合资企业——IMFlashTechnologies（IMFT）开发而成，它也是业内**通过在指尖大小的封装中仅集成8块芯片来实现1Tb数据存储容量的NAND设备。与英特尔及美光现有的20纳米制程64GbNAND设备相比，新设备在存储容量和性能方面均提升了一倍。它还符合高速ONFI3.0（OpenNANDFlashInterface3.0）规范，传输速度可达333MT/s（每秒百万次传输），可为用户带来更加经济高效的固态存储解决方案，以满足当今纤薄时尚型产品，包括平板电脑、智能手机和大容量固态硬盘（SSD）的设计需求。

    美光公司NAND解决方案部门副总裁GlenHawk表示：“随着便携式产品日趋小型化和时尚化，以及服务器需求的日益增加，我们的用户期望美光能够推出创新的存储技术和系统解决方案来应对这些挑战。我们将继续深化与英特尔公司的合作，不断推出**的NAND技术和提供对构建相关系统来说至关重要的专业知识。”

    英特尔和美光还透露，其20纳米制程工艺技术成功的关键，就在于一种创新的存储单元结构，它拥有比传统结构更高的存储单元可扩展性，这一结构就是业界首创的平面存储单元结构。该结构能够帮助有效克服**制程技术一直面临的挑战，同时实现毫不逊色于上一代产品的卓越性能与可靠性。平面存储单元结构通过在NAND闪存制造中集成**高K/金属栅极堆栈，成功打破了标准NAND闪存浮置栅极单元的扩展限制。

    英特尔公司副总裁兼非易失性存储器解决方案事业部总经理RobCrooke表示：“在英特尔和美光的携手努力下，我们的制造团队创下了多个业界**，推出了众多高密度、低成本的高品质20纳米制程NAND设备，有力地巩固了我们在NAND技术领域的领导地位，对此我们备感振奋。通过使用平面存储单元结构和高K/金属栅极堆栈技术，IMFT进一步提升了我们在NAND闪存解决方案上的技术能力，以支持更多富有吸引力的全新产品、服务及设备规格的问世。”

    当前，三大彼此关联的市场趋势激发了对于大容量NAND闪存设备的需求，它们包括：数据存储的增长、向云计算的迈进及便携式设备的广泛使用。随着数字化内容的日益增长，用户希望能够跨多种设备使用数据，并通过云计算进行同步。为有效传输数据，服务器需要采用高性能、大容量的存储设备，而这正是NAND闪存的优势所在。与此同时，由于数据访问量的增加，移动设备的存储容量也在不断增长，高清晰度视频就是需要大容量存储支持的一个应用范例，这是因为以数据流方式传输此类内容难以实现出色的用户体验。这些需求使得高性能、小型化的存储设备日渐受到欢迎，无论是在接收内容的移动设备上，还是在交付内容的存储服务器上，它们均可找到用武之地。

    英特尔和美光表示，通过在12月开始量产20纳米制程64GbNAND闪存产品，将有助于在2012年**转换到128Gb设备的生产。128Gb设备的样品将在2012年1月份推出，紧接着在2012年上半年就可实现批量生产。这一里程碑式的转换将会进一步增大产品存储密度并大幅提升总体产量，同时也可帮助两家公司的开发团队获得设计复杂存储解决方案和改善未来相关技术所需的专业知识及经验。