东芝推出600V系统超级结MOSFET DTMOSIV高速二极管系列

　　RON较现有产品降低了30%，反向恢复时间为现有产品的三分之一

　　东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO: 6502)推出了基于第四代600V系统超级结(super junction)MOSFET“DTMOSIV”系列的高速二极管。新系列采用**的单外延工艺打造，其每单位面积导通电阻(RON•A)较现有产品降低了约30%(注1)，处于业界**水平。(注2)另外，高速寄生二极管的反向恢复时间约为现有产品的三分之一(注3)，降低了损耗并有助于提高功效。

　　(注1) 与此前的“DTMOSIII”系列比较。东芝数据。

　　(注2) 截至2013年4月2日。东芝数据。

　　(注3) 与现有的“TK16A60W”产品比较。截至2013年4月3日。东芝数据。

　　应用

　　开关电源，微逆变器，适配器和光伏逆变器

　　主要特性

　　1. RON•A较现有产品(DTMOSIII系列)降低了30%。

　　2. 高速寄生二极管的反向恢复时间约为现有产品的三分之一。

　　3. 采用单外延工艺打造，确保高温时的导通电阻和反向恢复时间只会小幅增加。

　　4. 宽广的导通电阻范围(0.65-0.074Ω)

　　5. 多种封装

　　主要规格

　　产品型号****额定值RDS(ON) **值 (Ω)Qg 标准值 (nC)Ciss 标准值 (pF)trr 标准值 (ns)封装

　　VDSS (V)ID (A)VGS=10V

　　TK16A60W560015.80.23431350100TO-220SIS

　　TK31J60W560030.80.0991053000135TO-3P(N)

　　TK39J60W560038.80.0741354100150TO-3P(N)

　　*通过下方链接了解该产品详情。

　　http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1267582_2470.html

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　　东芝：600V系统超级结MOSFET DTMOSIV高速二极管系列(从左至右：TO-220SIS封装和TO-3P(N)封装)(照片：美国商业资讯)